2024.6.13—6.15 威廉希尔保利世贸博览馆2号馆(1楼)
展会倒计时 288
展商快讯CAPE
展商预告|圣达科技确定参展CAPE 2024威廉希尔粉体装备展




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合肥圣达电子科技实业有限公司

展位号:B455

01 氮化铝粉体

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>>技术参数

N含量(wt%):≥33.6;

O含量(wt%):≤0.8;

C含量(ppm):≤300;

Fe(ppm):≤15

>>性能特点

采用碳热还原法制备的氮化铝粉体,具有粉体粒径分布均匀,活性高等特点。

>>应用领域

产品主要由于氮化铝基板和HTCC基板的制作。


02 HTCC生料带及配套浆料

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>>技术参数

材料:氧化铝生料带,氮化铝生料带;

尺寸:6inch*6inch / 8inch*8inch;

厚度:0.1mm/0.15mm/0.2mm;

厚度均匀性:±5%;

配套浆料:氧化铝钨浆,氮化铝浆料。

>>性能特点

通过流延工艺制备出具有一定的强度和韧性的生料带,强度高、韧性强,与配套浆料的匹配性好,满足多层制备工艺要求。

>>应用领域

应用在氧化铝、氮化铝HTCC基板领域。

 

03 氮化铝基板及结构件

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>>技术参数

密度(g/cm³):>3.26;

热导率(W/m.K):>170/240/270;

抗折强度(MPa):>350;

介电常数(1MHz):8.8;

介质损耗(1MHz):3.5×10-4

线膨胀系数(ppm/K):4.4。

>>性能特点

制备的氮化铝陶瓷基板及结构件具有热导率高,机械强度,满足散热和结构支撑要求。

>>应用领域

满足大功率、高集成器件的散热、绝缘要求。


04 HTCC陶瓷封装

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>>技术参数

最小线宽:60μm;

最小线间距:80μm;

最小通孔直径:85μm;

密度(g/cm³):>3.26;

热导率(W/m.K):>170;

抗折强度(MPa):>350。

>>性能特点

制备的氮化铝HTCC陶瓷基板通过多层互联上下导通,实现信号多层传输,满足信号传输要求。

>>应用领域

应用在高功率密度,小型化等一体化封装领域。

 

合肥圣达电子科技实业有限公司

Hefei Shengda Electronics Technology Industry Co.,Ltd

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合肥圣达电子科技实业有限公司专注先进电子封装外壳、电子功能材料事业的发展,服务于航空航天、光纤通信、数据中心、汽车电子、消费电子、人工智能、新能源等产业领域。为客户提供包括热管理、信号传输、气密封装、表面防护等整套技术解决方案,覆盖金属封装外壳、陶瓷封装外壳、氮化铝粉、高导热氮化铝基板、陶瓷覆铜板、电子浆料等一系列高科技产品,致力于建设成具有国内卓越、国际一流水准的专业化封装材料公司。





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