随着功率器件特别是第三代半导体的兴起和应用，半导体器件逐渐向高功率、小型化、集成化和多功能方向发展，这也对封装基板的性能提出了更高的要求。由于可在1500~1850℃的高温下进行陶瓷与金属的共烧，实现两种材料不同层之间的垂直互连，高温共烧陶瓷（HTCC）产品具有优异的机械强度、导热性能以及化学稳定性，因此在对热稳定性和基体机械强度要求较高的高频、高功率微波电路和功率模块等领域的应用优势尤为明显，广泛应用于制备各类电子组件、3D多芯片模块、智能3D封装、微机电系统（MEMS）封装以及实验室芯片系统等。

目前高温共烧陶瓷基板主要有氧化铝体系和氮化铝体系，其中氧化铝体系具有成本低、机械强度好，绝缘性好等优点，成为目前HTCC产品市场的主力军。除此之外，体系中还包括钨、钼、锰等难熔金属材料金、烧结助剂和着色剂等组成成分。一般来说，用作 HTCC 的氧化铝陶瓷粉体纯度一般在 90~95%，氧化铝粉体含有量不同，其电学性质几乎不受影响，但是其机械性能及热导率变化很大。纯度低的基板中玻璃相较多，表面粗糙度大；而纯度越高的基板，越光洁、致密、介质损耗越低，还可满足薄膜电路精度高的要求，但是原材料质量和制备工艺要求也更高。

目前，由于较高的技术门槛，我国高纯氧化铝基板的市场大部分依赖于进口，针对这种情况，四川六方钰成电子科技有限公司在此领域的研发生产上沉淀多年的经验，开发了一种基于高纯氧化铝粉体的99HTCC材料体系，其氧化铝纯度高达99.6%，不仅在介质损耗、抗弯强度、热导率等方面均超越了传统的90、92黑瓷HTCC，还可实现HTCC基板的厚薄膜混合集成，既可在内层实现50微米的线宽线距，还可在表层则制作具有更高精度的薄膜电路，布线密度显著提高，有望推动射频微波SiP组件的小型化、高性能化和低成本化。

即将于4月23-25日在宁波举办的“2024年全国氧化铝粉体与制品创新发展论坛（第八届）”，粉体圈邀请了来自四川六方钰成电子科技有限公司总经理刘志辉博士，为大家带来报告《基于高纯氧化铝的HTCC材料体系开发》，报告将分享六方钰成所开发的高纯氧化铝HTCC材料体系的优势特点及其在器件制造精密技术中的应用等，如您想了解更多关于HTCC的技术发展及应用机会，可了解会议详情并报名，到会议现场进一步交流哦！

报告人介绍

刘志辉，四川六方钰成电子科技有限公司总经理，清华大学材料学博士，高级工程师，长期从事陶瓷基板、高密度封装、微系统集成技术研究，作为主要完成人，高效流延法制备陶瓷基板技术、宽带高密度LTCC集成技术等成果获得省部级科技奖项。

从业经历：

1999.8-2002.8 珠海粤科清华电子陶瓷有限公司 技术部经理

2002.9-2006.7 清华大学 材料系 工学博士

2006.8-2018.7 中电29所 工艺副总师、科技委委员

2019.5-至今 四川六方钰成电子科技有限公司 总经理

关于六方钰成

六方钰成生产车间

四川六方钰成电子科技有限公司是一家从事高性能电子陶瓷基板、厚薄膜混合集成电路研发及生产的科技创新型企业，其技术团队由出身清华大学、在该领域有多年研究经验的刘总带领，主要产品包括99.6%氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、陶瓷热沉、薄膜无源器件、HTCC材料及封装基板等，广泛应用于射频微波、光通信、汽车电子、医疗电子等领域。

宁波氧化铝论坛会务组