据南大双创近日公布，修向前教授团队推出“大尺寸碳化硅激光切片设备与技术”成果——已完成大尺寸原型激光切片设备的研发，实现了4-6英寸半绝缘碳化硅晶圆的切割减薄、6英寸导电型碳化硅晶锭的切片，目前正在进行8英寸晶锭切片验证。

将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶加工过程的第一道工序，切片的性能决定了后续薄化、抛光的加工水平。切片加工易在晶片表面和亚表面产生裂纹，增加晶片的破片率和制造成本，因此控制晶片表层裂纹损伤，对推动碳化硅器件制造技术的发展具有重要意义。但是，目前碳化硅晶锭切片主要面临多线切割技术材料损耗率高，加工周期长和产率低两大问题。而采用激光切片设备虽然可以大大的降低损耗，提升产率。但是，目前大尺寸碳化硅晶锭激光切片设备仅日本能提供，价格昂贵且对中国禁运。据调研，激光切片/减薄设备国内需求超过1000台以上，目前大族激光、德龙激光等公司已经投入巨资开发相关产品，但尚未有商品化国产成熟设备销售。

修向前教授，博士生导师，国家重点研发计划首席科学家，长期从事宽禁带半导体设备、材料与器件研究。研发团队包括教师和研究生十余人。该项目已完成大尺寸原型激光切片设备的研发，实现了4-6英寸半绝缘碳化硅晶圆的切割减薄、6英寸导电型碳化硅晶锭的切片。具体优势包括：半绝缘/导电型6英寸碳化硅晶锭单片切割时间≤15min；单台年产晶片>30000片；半绝缘碳化硅晶锭单片损耗≤30um；导电型单片损耗≤60um，产片率提升>50%。项目研发的设备不仅用于碳化硅晶锭切割和晶片减薄，也可以用于氮化镓、氧化镓、金刚石等激光加工。

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